Известно, что мемристоры являются пятым типом основных электронных приборов. Их название, составленное из слов «memory» и «resistor», говорит само за себя и определяет основную функцию этого прибора – ячейку резистивной памяти.
Взглянув назад на несколько лет назад, можно вспомнить, что в научно-исследовательских лабораториях компании Hewlett-Packard были созданы первые наноразмерные мемристоры. А при участии компании Hynix, занимающейся производством микросхем памяти, ведутся работы по созданию коммерческих образцов микросхем резистивной RAM-памяти, ReRAM.
Проблема с мемристорами компании HP заключается в том, что их основой является достаточно дорогой материал, диоксид титана, который дорог как в производстве, так и в обработке.
Вариант мемристоров, созданных учеными OSU, изготавливается из более дешевой окиси цинка-олова, что позволяет рассматривать новые устройства хранения информации на основе мемристоров не только как замену Flash-памяти, потенциал которой практически исчерпан на сегодняшний день.
Дешевизна новой мемристорной памяти, сочетающей скорость доступа динамической RAM и энергонезависимость Flash-памяти, ее малое энергопотребление и высокая эффективность, делают эту память идеальным кандидатом на использование в мобильных и малогабаритных электронных устройствах. Помимо этого, новая ReRAM-память, придя на замену DRAM, может стать тем, что существенно изменит архитектуру и принципы работы современных компьютеров, сделав их быстрее, эффективнее, интеллектуальней и позволяя им включаться и загружаться практически мгновенно.
Дополнительные исследования, проведенные учеными из OSU, показали то, что окись цинка-олова имеет потенциал и шанс стать заменой дорогому материалу, окиси цинка-галлия-индия, который используется в производстве тонкопленочных транзисторов, используемых в производстве жидкокристаллических дисплеев и другой электроники.
Источник(и):
1. Dailytechinfo
2. bit-tech.net
Олена
Anna
