Одним з найбільш перспективних кандидатів на роль технології пам’яті наступного покоління вважається граткова (cross-bar) резистивна (мемристорна) пам’ять. Її сильними сторонами є енергонезалежність, малий час доступу, висока щільність та нескладний виробничий процес.
Професор корейського Науково-технічного університету POSTECH, Тхе Ву Лі (Tae-Woo Lee) та очолюваний ним дослідницький колектив розробили технологію швидкого виготовлення високощільних масштабованих масивів одномірних мемристорів, які перехрещуються (мідних нанопроводів з оксидним шаром CuxO).
Як повідомляється в журналі Advanced Materials, структура метал-оксид-метал забезпечує неабиякі електричні характеристики і створюване резистивне переключення.
Застосовуваний авторами простий процес електрогідродинамічного друку нанопроводів (e-NW) на відміну від технологій літографії дозволяє обійтись без вакуумної камери, що суттєво знижує вартість і час виготовлення масивів мікромініатюрних мемристорів. Він також створює передумови для подальшого зменшення характерного розміру цих пристроїв впритул до декількох нанометрів.
Використовуючи цей процес, корейські вчені виготовили мемристорні масиви різноманітної форми, в тому числі паралельні гратки із змінним шагом, сітчасті та хвилеподібні структури. Як заявив професор Лі, це демонструє можливості застосування технології для виготовлення гнучкої та еластичної пам’яті, яка знайде застосування в майбутніх переносних комп’ютерах, розумній тканині і текстильних електронних пристроях.
Anna
